CES 2025에서 실물 드러낸 SK하이닉스의 HBM3E
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CES 2025에서 실물 드러낸 SK하이닉스의 HBM3E
  • 박준환 기자
  • 승인 2025.01.09 09:20
  • 댓글 0
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SK하이닉스가 7일(현지시각)부터 10일까지 미국 라스베이거스에서 열리는 세계 최대 IT/가전 전시회인  'CES 2025'에서 고도화된 인공지능(AI) 구현을 지원하는 대용량 메모리 제품도 소개했다. SK하이닉스는 최근 AI 메모리 제품으로 많은 관심을 받는 HBM의 최신 제품인 16단 HBM3E를 공개해 주목을 받았다. 이 제품은 1.2TB(테라 바이트) 이상의 대역폭과 48GB(기가바이트)의 용량을 갖춘 현존 최고 사양의 HBM으로 업계 관계자와 관람객으로부터 큰 호응을 얻었다.

SK 전시관에 전시된 HBM3E 16단 제품. 사진=SK하이닉스
SK 전시관에 전시된 HBM3E 16단 제품. 사진=SK하이닉스

SK하이닉스가 AI데이터센터 전시관에서 선보인 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다. HBM3E는 HBM3의 확장형이다. SK하이닉스는 HBM3E 16단 제품을 엔비디아의 GB200에 적용한 모델을 공개했다. 전 세계의 주목을 받고 있는 엔비디아는 SK하이닉스의 지속 성장을 예고한다는 점에서 SK하이닉스는 올해도 도약할 것으로 예상된다.  

SK하이닉스의 캐시카우로 각광받는 HBM3E.사진=SK하이닉스
SK하이닉스의 캐시카우로 각광받는 HBM3E.사진=SK하이닉스

SK하이닉스는 이와 함께, 데이터센터용 DIMM(여러 개의 디램을 기판에 결합한 모듈) 제품군인 DDR5 RDIMM, MRDIMM 등도 선보였다. SK하이닉스는 지난해 업계 최초로 10nm(나노미터) 공정의 6세대 기술(1cnm)을 기반으로 한 DDR5를 개발했으며, 이 기술이 적용된 DDR5 RDIMM은 기존 제품 대비 동작 속도는 11%, 전력 효율은 9% 향상된 제품이다.

SK하이닉스가 개발한 HBM3E 16단 제품을 엔비디아(NVIDIA)의 GB200에 적용한 제품. 사진=SK하이닉스
SK하이닉스가 개발한 HBM3E 16단 제품을 엔비디아(NVIDIA)의 GB200에 적용한 제품. 사진=SK하이닉스

한편, 올해 CES는 '연결하고, 해결하며, 발견하라: 뛰어들다(Connect, Solve, Discover: DIVE IN)'를 주제로 하고 있으며 전 세계 글로벌 ICT 기업들의 기술력을 엿볼 수 있는 다양한 전시가 욜리고 있다. SK하이닉스는 SK멤버사와 함께 '혁신적인 AI 기술로 지속가능한 미래를 만든다(Innovative AI, Sustainable tomorrow)'를 주제로 전시관을 꾸미고, 지속가능한 미래를 위한 다양한 AI 메모리 기술력을 선보이며, SK의 미래 비전을 제시했다. SK관은 크게 AI 데이터센터(Data Center, DC), AI 서비스(Service), AI 생태계(Eco-system)로 파트를 구성했다. 각 파트에서는 SK멤버사들의 최신 AI 기술과 AI를 활용한 다양한 서비스와  시스템 등을 확인할 수 있다.

박준환 기자  naulboo@gmail.com

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